眾人拾柴火焰高，MRAM技術聯盟正式成立

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　　以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內的20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟，聯合開發MRAM技術，預計在明年2月份就會啟動相關的技術研究項目。
　　MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory，即磁阻式隨機存取儲存器，這是一種非易失性儲存器，速度與DRAM不相上下，但功耗更低、容量更大，被視為下一代高速儲存器的理想之選，適合用於固態硬碟、智慧型手機、平板電腦等設備上。

　　按照目前MRAM的發展進程，想要大規模投入使用MRAM，預計還得等到2018年，不過現在已經陸續有廠商推出MRAM產品，例如在本月中旬，美國Everspin技術公司就推出了ST-MRAM晶片，這種晶片儲存速度是普通MLC晶片的500倍，已經達到了DRAM晶片的水準。
　　Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固態硬碟，該系列固態硬碟就配備了Everspin的DDR3 ST-MRAM晶片作為固態硬碟高速快取。這種高速快取採用WBGA封裝設計，單顆容量為64Mb(8MB)，最高頻率為1600MHz，最高頻寬為3.2GB/s，納秒級延遲，從性能來說已經不輸給DRAM晶片，而且由於斷電不丟失數據，因此產品無需為快取電路配備大容量電容或者是高級斷電保護技術。
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