針對至強E7的Broadwell-DE曝光：支援16路並行，6TB記憶體

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　　日前Intel在英國倫敦舉辦了一次小型媒體會，介紹了一些有關14nm工藝Broadwell處理器的內容，主要是涉及下一代至強E7系列的大型伺服器晶片，明年下半年會迎來Broadwell-DE核心的至強E7處理器，擁有更多核心更多快取，可支援16路並行，4路系統中的記憶體容量都有6TB。
　　Computerbase報導稱，Intel之前公佈的路線圖中顯示Broadwell處理器還會有SoC化的處理器(處理器整合晶片組、網路等外圍晶片)，至於下代至強E7所用的Broadwell-DE核心是SoC處理器還是會跟目前的Haswell-ULT系列一樣使用多晶片封裝，Intel沒有公佈詳細資料，甚至Q$A問答中也沒有提及。
　　目前Intel的晶片組才剛剛從65nm過渡到32nm工藝，處理器明年就會升級到14nm了，設計成SoC處理器的話要設計晶片組、處理器的架構調整，並不那麼容易。

　　Broadwell-DE核心會用於下一代至強E7平台，Intel表示下一代至強E7會繼續用於“關鍵任務”伺服器市場，將會擁有更多核心、更大的快取，具備更高可靠性，支援更大容量的記憶體。舉例來說，4路系統可支援24條DDR3記憶體槽，記憶體容量可達6TB，而Intel表示下一代至強E7甚至可以支援16路並行。

　　Intel並沒有提及Broadwell-DE會有多少核心，不過目前的IVB-EX架構的至強E7處理器已經擁有15核心30執行緒設計了，Broadwell-DE核心要是擁有更多的核心，那麼20核心40執行緒都有可能了。
　　預計Intel會在未來幾周內公佈更多訊息。