三星電子近日在首爾舉行了2013下半年的分析師會議，主要的業務子公司高級主管在會議上談論了三星目前及未來產品綫的路線圖，我們這裡來看一下三星LSI整合電路業務的進展和遠期計畫。
三星LSI部門涉及的不只是處理器，還包括感測器、顯示器電路、製程工藝等等，我們按照PDF介紹的逐一看下。
螢幕路線圖
三星今年的手機已經實現了FHD(1920x1080)解析度，下一個階段是2560x1440解析度的WQHD，步步高的Xplay 3S是目前第一個宣佈使用2560x1440解析度的手機，看起來三星明年的Galaxy S5及Note 4都會使用2560x1440解析度了，而2015年則會本着UHD標準的3840x2160解析度去了。
感測器路線圖
今年三星的手機感測器使用了1300萬像素的，但是不支援OIS光學防抖，明年會使用1600萬像素的，之前消息顯示會支援OIS防抖，2015年則會提高到2000萬像素。
[b]目前的處理器[/b]
這部分是業績宣傳表，三星今年還有可能推出2.xGHz的Cortex-A15處理器？
Exynos 5 Octa是首款使用big.LITTLE架構的處理器
三星的工藝進展
三星目前的主力工藝是28nm HKMG，工作電壓在1.0V左右，2014年則會使用20nm HKMG工藝，而且首次使用Gate First工藝，電壓會降低到0.9V，之後會使用14nm FinFET工藝，電壓降低到0.8V，第二代FinFET工藝在10nm節點，電壓繼續降低到0.7V。
[b]2014-2015年的新產品[/b]
明後年的感測器
明年三星將會推出1600萬像素的感測器，像素大小1.12微米，不同於目前的BIS，三星的1600萬像素感測器支援ISOCELL，三星稱ISOCELL感測器是無損失感光的，效果比BIS感測器更好。
三星的相機產品綫也會迎來新的APS-C感測器。
14nm工藝
目前三星正在研發14nm工藝，之前有消息說三星明年就會開始量產14nm工藝，Galaxy S5的處理器就是14nm工藝所產，不過現在看來進度不會有這麼快，三星的14nm FinFET工藝在測試階段，已經試產了Cortex-A7處理器了。
[b]未來前瞻[/b]
三星的TSV矽穿孔工藝
三星之前已經在NAND上使用了TSV工藝，詳情可以參考：[NAND新時代起點，三星V-NAND技術詳解](http://www.gamez.com.tw/forum.php?mod=forumdisplay&fid=509&filter=typeid&typeid=3606)
三星的處理器也要兩條腿走路了
終於說到三星的處理器了，明年無疑是ARM陣營開啟64位的日子，三星的64位處理器除了之前說的使用Cortex-A57和A53組big.LITTLE之外，三星還會開發相容架構的Exynos處理器，之前有消息指出[三星在美國奧斯丁的研發中心已經開始設計自主架構的ARM處理器了](http://www.gamez.com.tw/forum.php?mod=forumdisplay&fid=509&filter=typeid&typeid=3606)，明年上半年問世，進度順利的話三星的Note 4有可能就使用這個處理器呢。
三星的基頻計畫
此外，三星還提到了整合基頻的計畫，高級產品會繼續堅持應用處理器+獨立基頻的做法，不過大眾級及一般產品會使用整合基頻的處理器，三星並沒有提及整合的基頻源於哪家，不過他們自己就有做基頻的能力，從公司角度來講有可能會在中一般產品上使用三星自己的基頻，而在高級產品上繼續使用高通的基頻。
整合基頻的產品在Q3季已經出貨
三星未來會開發10nm工藝，也會逐漸轉向EUV極紫外光刻工藝