鐵之狂傲
標題:
眾人拾柴火焰高,MRAM技術聯盟正式成立
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作者:
LEOZ
時間:
13-12-4 06:02
標題:
眾人拾柴火焰高,MRAM技術聯盟正式成立
以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內的20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟,聯合開發MRAM技術,預計在明年2月份就會啟動相關的技術研究項目。
MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory,即磁阻式隨機存取儲存器,這是一種非易失性儲存器,速度與DRAM不相上下,但功耗更低、容量更大,被視為下一代高速儲存器的理想之選,適合用於
固態硬碟
、智慧型手機、平板電腦等設備上。
13-12-4 06:03 上傳
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按照目前MRAM的發展進程,想要大規模投入使用MRAM,預計還得等到2018年,不過現在已經陸續有廠商推出MRAM產品,例如在本月中旬,美國Everspin技術公司就推出了ST-MRAM晶片,這種晶片儲存速度是普通
MLC
晶片的500倍,已經達到了DRAM晶片的水準。
Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固態硬碟,該系列固態硬碟就配備了Everspin的
DDR3
ST-MRAM晶片作為固態硬碟高速快取。這種高速快取採用WBGA封裝設計,單顆容量為64Mb(8MB),最高頻率為1600MHz,最高頻寬為3.2GB/s,納秒級延遲,從性能來說已經不輸給DRAM晶片,而且由於斷電不丟失數據,因此產品無需為快取電路配備大容量電容或者是高級斷電保護技術。
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