鐵之狂傲

標題: Exynos 6將越過20nm工藝，直接上64位架構+14nm 3D工藝 [列印本頁]

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作者: CANCERS    時間: 13-10-25 04:03
標題: Exynos 6將越過20nm工藝，直接上64位架構+14nm 3D工藝
　　據說三星因Galaxy S4銷量未達預期而打算在明年1月份提早發布Galaxy S5。要是之前的傳聞成真，S5的賣點、看點可比S4多得多，三星將拋棄萬年大塑料而改用金屬機身，攝影機支援OIS光學防抖，還可能升級1600萬像素。S5所用的晶片應該是Exynos 6，明年也會升級到64位架構，韓國媒體進一步爆料稱Exynos 6將越過20nm工藝，直接上馬最新的14nm 3D晶體管工藝。

　　目前移動處理器的主流工藝是28nm，三星和TSMC的主力都是，下一代工藝則是20nm，現在正在準備量產的過程中，TSMC明年初會正式量產。正常規划下三星也會在明年進入20nm工藝，不過三星打算給TSMC更多壓力，所以Exynos 6會越過20nm工藝階段，直接上馬14nm FinFET(鰭式晶體管，跟Intel的3D晶體管工藝原理一樣)工藝。
　　根據業內消息的說法，今年今年底會拿出14nm FinFET工藝的ES工程樣品(Engineering Sample)，明年初則會推出BS商業樣品(Business Sample)，這麼看14nm FinFET的進度已經非常快了。
　　明年的Exynos 6理應升級到64位ARMv8指令集，三星已經獲得了Cortex-A57/A53的授權，目前的Exynos 5使用的是big.LITTLE架構，使用了4個Cotrex-A15和4個Cortex-A7核心，Exynos 6應該使用4個A57和4個A53核心。

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