鐵之狂傲

標題: 感受晶圓之美,六核Ivy Bridge-E核心及核心面積曝光 [列印本頁]

作者: CANCERS    時間: 13-8-24 04:09
標題: 感受晶圓之美,六核Ivy Bridge-E核心及核心面積曝光
  Intel前不久公佈了三張Ivy Bridge-E處理器的照片,不僅有核心架構投影圖,還有一張完整的晶圓圖。由於這一代的IVB-E處理器是原生六核的,通過這張300mm晶圓的圖片,有心人已經計算出了IVB-E處理器的核心面積等關鍵數據。
IVB-E_(LCC)_Die_Wafer_Shot-7822.jpg
IVB-E處理器晶圓照(點擊放大)

  PCGH論壇某成員用GIMP軟體計算了六核IVB-E處理器的核心面積,得出的結論是每個6核IVB-E處理器的核心面積為258.37-259.84mm2,誤差在1%以內。當然,這個數據是他用每平方毫米的圖像像素的比例推測出來的,實際的還要以官方數據為準。
  這是首次有根據的IVB-E處理器核心面積數據曝光,之前原生8核的SNB-E處理器核心面積約為435mm2,比這個原生六核的大約了大約76%。
  IVB-E處理器的TDP都是130W,沒了SNB-E中最高150W的TDP等級。根據以往曝光過的數據,可以對比下這幾代Intel處理器的核心面積和功耗密度。
型號 核心面積  TDP   Power/area
IVB-E 260mm2   0.5W/mm2
SNB-E 435mm2   130/150W 0.299/0.345W/mm2
SNB  216mm2    95W   0.440W/mm2
IVB  160mm2    77W    0.481W/mm2
Haswell(GT2) 177mm2  84W  0.475W/mm2
  從表中可以看出,IVB-E處理器的功耗密度達到了新高,這意味着新一代處理器單位面積上比其他處理器更熱,這是否會影響處理器的超頻能力還未可知,畢竟22nm工藝之後的兩代處理器都飽受超頻時溫度過高的困擾。
IVB-E_(LCC)_Die_Wafer_Shot-7837.jpg

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