鐵之狂傲

標題: 體積最小密度最大,東芝19nm工藝NAND快閃記憶體晶片誕生 [列印本頁]

作者: ARIESS    時間: 11-4-21 00:00
標題: 體積最小密度最大,東芝19nm工藝NAND快閃記憶體晶片誕生
  不久前,東芝宣佈推出24nm工藝的NAND快閃記憶體晶片。而半個月後的今天,東芝再次宣佈,正式推出19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片,單晶片容量達8GB,是目前密度最高的8GB NAND快閃記憶體晶片。
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24nm工藝已成過去?

  根據東芝方面表示,該款19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片採用了2位元(bit-per-cell)結構,容量達64Gb(即8GB),是目前體積最小、密度最高的8GB NAND快閃記憶體晶片。憑藉這款晶片,智能手機、平板電腦等攜帶型設備即可輕鬆達到128GB的儲存容量。
  另外,東芝還表示該款19nm工藝的NAND快閃記憶體晶片支持DDR 2.0技術,稍後還會推出3位元結構的產品,更多詳情可瀏覽東芝官方網站




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